作者yiting428 (拨拨)
看板Electronics
标题[讨论] 一个以BJT控制NMOS做为开关的电路
时间Sun Sep 10 22:34:25 2017
https://i.imgur.com/jtxlzh5.jpg
大家好，电路图如上，
文有点长，再恳请大家帮小弟解惑。
这个电路目的是让MOS Drain端的12V可以过去到Source端
由图中最左边的Ctrl送High/Low，经BJT反相後控制MOS的Gate
另外2点简单说明：
1. 由於Q4还有控制其他部分的电路，所以才会有Q4
2. MOS GS间的100K及一般二极体的目的是，防止关断MOS时，Source的12V流经zener及Q2放电时，电流过大烧毁zener。
然後因为这个电路是以前的人设计的，所以有几个问题想请问板上的电机电子高手大大：
1. Q4 off时，Q6 base接的二极体也因逆偏截止，这时base的电位究竟应该算是？是否接个电阻到地会比较好？
2. Q2 on时，集极电流Ic从哪里来？Q6已经截止了耶。
3. MOS导通瞬间，gate电位为12.7V(二极体+zener)→MOS导通→source有12V。
如果要继续保持导通(饱和区)，需满足两个条件：
(1)Vgs>Vth，Vth为1.4V
Vg-12>1.4，
Vg>13.4。
(2)Vgd≦Vth
Vg-12≦1.4
Vg≦13.4
https://i.imgur.com/1WYxObZ.jpg
请问是不是我以上分析有问题，
如果我的分析是对的，
那便是这个电路本身设计有问题吧？
4. 目前有实际接出来且工作如预期正常的电路，MOS导通後gate稳态电压量到约18V，如此一来Vgd=6V>Vth，这样一来MOS不会从饱和区退回欧姆区吗？
5. 我认为Q6是多余的，+20V直接经电阻接到Q2集极，Q2本身便可以反相，这样的理解是对的吗？
感谢耐心看完的大大，如有需要我补充说明的资讯欢迎提出，谢谢！
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1F：→ zhttp: 简转繁 不意外XDDDDDDDDDDDDDD04/10 12:54
2F：推 kfactor: 没事儿没事儿，一个错字而已04/10 12:54
3F：推 becareful: 没事，我们写对三个字04/10 13:47
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※ 编辑: yiting428 (123.194.85.30), 09/10/2017 22:41:55
4F：→ GiantChicken: load拉载不大就用PMOS用BJT直接控就好 09/10 22:57
5F：推 HiJimmy: 好复杂~~~ 同1F意见~~ 09/10 23:18
6F：→ GiantChicken: 有20V NMOS也能 线路也能很简单 电阻功率大一点就好 09/10 23:24
8F：→ HiJimmy: 有接负载时Q6应该都会开 09/10 23:27
9F：→ mmonkeyboyy: 为什麽不拿spice跑一跑 09/12 21:48