作者your851123 (ting)
看板Electronics
标题[问题] nmos 基本特性问题，ID vs VGS图
时间Sun Oct 22 18:48:51 2017
各位大大好，我最近修了一门类比ic设计，题目如下：(用0.18制程）
(a)Select aspect ratio to have a ID with the arrange of 10uA~50uA(using a NMOS
device with VDS =0.2V)
(b)Following the result of (a),please find
ID vs VGS curve by sweeping VG.
我不太懂题目的意思，它的意思是说固定VDS,设计一个W/L,藉由改变VG,去让ID的范围是1
0u~50u吗？意思是操作在linear区？
我怎麽用都怪怪的，不知道所谓的ID范围是哪里到哪里？且我的L都会比W大，才有办法满
足设定的电流...
谢谢大家…
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※ 编辑: your851123 (180.217.154.232), 10/22/2017 18:56:09
1F：→ zxc44560: 你题目理解没错呀~ 10/22 20:07
2F：→ luckyluck: L比W大很正常啊 10/23 02:30