作者tyo1232000 (Min)
看板Electronics
标题[问题] 一题电子学题目
时间Wed Nov 8 00:46:30 2017
https://i.imgur.com/GPRixq0.png
上图题目与解，感觉怪怪
1.图中Q1、Q2、Q3都是画增强型FET，图中Vgs皆为0，
偏压不够，不就截止了吗?
2.若假如图中为空乏型FET，那Vgs3与Vgs2都为0，那Q2与Q3所具有的Id电流相同，
电流全部不就从Q3直接往Q2流下，怎麽会有分流给Q1?
3.它说"Q1、Q2均在三极体区"，是怎麽判断出来的?
有没有大大可以指点一下~谢谢!
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1F：推 since814: p型的Vt是负的阿 所以1.2两颗不会截止 11/10 08:21
恩，不过Q3还是截止会有问题，被Q3搞到脱窗，
不过又想了一次，好像有feel了，
图中应只有Q3错误，要改成空乏MOS，
Q3流下Id3，因下方Q1与Q2偏压一致，所以Id1必要等於Id2，会平分掉Id3
但全部偏压一致，可是Id1与Id2又要小於Id3，表示Q1、Q2要在三极体区才可能，
应该就是这样吧....有错误还请再帮忙指正，谢谢!
※ 编辑: tyo1232000 (220.134.144.242), 11/10/2017 19:51:55
※ 编辑: tyo1232000 (220.134.144.242), 11/10/2017 19:53:34