作者kingfsg7326 (认 同 请 按 2 )
看板Electronics
标题[问题] N-MOSFET Gate与Vds的关系
时间Thu Jan 4 22:13:49 2018
今天上课（动差）的时候教授说
当Vg上升时Vds会下降
所以共模(common mode)Vcm有范围
但我很好奇是怎麽运作的
假设Vd是固定,当Vg增加是如何影响Vds呢
求解谢谢
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1F：推 mentchin: Vg上升 通道载子数量上升01/05 01:44
2F：→ mentchin: 就变成一个很好的导体01/05 01:44
3F：→ mentchin: 当然他的端电压就会下降01/05 01:44
4F：→ mentchin: 我是这样思考的01/05 01:44
是否可以算成Vds=Vdg+Vgs?
Vds=Vd-Vg+Vg-Vs
※ 编辑: kingfsg7326 (110.50.138.99), 01/05/2018 11:46:23
5F：推 samm3320: 那是因为diff pair在source端限流，gs被固定 01/05 13:11