作者jamtu (月光下的智慧)
看板Electronics
标题Re: [建议] 类比VS数位VS混讯IC设计
时间Fri Mar 23 11:19:07 2018
※ 引述《ICdesign (IC设计)》之铭言：
: 大家好，小弟目前大二，快要面临选组的问
: 题，没意外应该是选择电子组，想问一下以上
: 三种目前在业界的情况如何，我自己是比较想
: 做Mix，由於我本身Coding的能力真的不怎麽
: 好，怕做数位的演算法会很辛苦，然後电子和
: 电路学学的还OK，是不是该往类比和混合的
: 方向去呢，我梦想中想进的公司是德州仪器，
: 希望有人能帮小弟解答一下谢谢，小号首Po就
: 给电机电子板了。
analog / mixed signal / RF 其实是分享共同类比基础的
真的要分要看硕班做什麽题目
但是到业界去工作也有一定的机会被换题目
主要还是看自己的兴趣在哪里
我当初是觉得自己不太会写code，但是系上的高手都很喜欢写code
加上觉得系上类比老师上课表达能力 > 数位 >>>>>>>>> 软体
就决定走类比这块
想进TI，要去美国的TI，有点难度
因为比较偏传统类比的领域目前不是非常赚钱，规模没什麽扩张的机会
基本上不太hire新人
远远不及软体
最好拿个国外的学历，而且最好是PhD
或是土博PhD有不错的发表，也有过待过国外的经历
据我所知现在的时间点美国的类比很难找工作
我台大土博，自己都评估要去会有不小难度了
不过欧洲也有在收TI做IC design的人
顺便帮楼上学长广告一下IMEC的PhD机会
欧洲名校KU Leuven或是TU Delft的学生出来都会找到不错的工作
我就有认识TU Delft的MS印度人在慕尼黑的TI工作
也有TU Delft的PhD中国人在美国TI
至於台湾的公司类比的工作要找到不会难，就看是进哪间公司
当然前提是你硕班要读好一点的学校
假设读PhD，你就业的时间点大概是10年後，很难讲当时的业界会变成怎样
我觉得没有设定什麽人生要赚多少钱的话，就跟着兴趣走吧
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 140.112.17.168
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※ 编辑: jamtu (140.112.17.168), 03/23/2018 11:23:52
※ 编辑: jamtu (140.112.17.168), 03/23/2018 11:27:20
1F：推 momoko0581: 想问Memory IC算类比电路 03/23 12:02
2F：→ momoko0581: 还是数位电路 03/23 12:02
3F：推 elle1352: 推这篇分析 楼上Memory应该比较偏数位吧? 03/23 12:33
4F：→ jamtu: memory我不熟 个人认为是类比电路偏device 03/23 12:50
5F：→ jamtu: 越着重演算法或是仰赖自动化合成越偏数位 03/23 12:50
6F：推 teddy9685: 想问power ic前景如何 03/23 18:05
7F：推 mmonkeyboyy: Memory数位 跟cell spice model 这一级的比较近 03/23 20:22
8F：推 mmonkeyboyy: 算在EDA下 03/23 20:23
9F：推 mmonkeyboyy: 如果你要问IC 我是不知道你在说那级 如果是美光那种 03/23 22:42
10F：→ mmonkeyboyy: 那是自成一类 如果是 controller 那是数位 03/23 22:42
11F：→ mmonkeyboyy: SRAM 很多在 tsmc里 新思也很多 03/23 22:42
12F：推 mmonkeyboyy: 类比都是去实验室里找 除非你有N年经验跟教主一样 03/23 22:45
13F：→ mmonkeyboyy: 还有占到好时 现在去....有点硬啊 工作很少 03/23 22:45
14F：→ mmonkeyboyy: 老板要够大头 XD 03/23 22:46
15F：推 samm3320: memory IC 里面有类比也有数位啊 03/23 22:49
16F：推 mmonkeyboyy: 都有啊 所以看那一级啊XD 应该说那一种memory先 03/24 01:43
17F：推 yesheyman: memeory readout IO DDR就是Serdes阿都是mixed-signal 03/24 02:13
18F：→ mmonkeyboyy: 对啊 我後来才想起来还有这些 躲在VLSI里太久了 03/24 03:37
19F：→ mmonkeyboyy: 囧> my bad ~ 03/24 03:37
20F：推 MuPei5566: Memory算类比偏数位多一点 04/16 10:37
21F：→ MuPei5566: sense amp.的话就是类比 decpder那些就算数位 04/16 10:38
22F：→ MuPei5566: 但单看记忆体的cell我觉得一半一半 04/16 10:39
23F：→ MuPei5566: 新型的记忆体如RRAM, STT-MRAM, FeRAM我也觉得是跟元件 04/16 10:41
24F：→ MuPei5566: 有关，跟电路有点距离了 04/16 10:41