作者qooq1017 (给我一点运气)
看板Electronics
标题[问题] NOR flash 的 program 方式
时间Tue Apr 17 17:05:30 2018
请教版上高手
最近看资料遇到一些问题
关於 NOR and NAND flash, program/erase 方式
NOR program 使用 channel hot electron injection
NAND program 是使用 F-N tunneling
而 erase 方式 NOR and NAND 均是用 F-N tunneling erase
想请教
1. 为何 NOR flash program 方式不用 F-N tunneling ?
2. F-N tunneling 在 tunnel oxide 需较大跨压, 理论上较容易对 oxide 造成
damage, 而 NAND 是用此方式, NAND 对 cycling 後的品质要求度较低吗?
谢谢
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1F：→ samm3320: Nor的结构FN program没法inhibit 04/17 18:43
2F：→ samm3320: 而且Hot e应该比fn容易damage oxide 04/17 18:46
3F：→ samm3320: Nand reliability比nor差但是是因为cell小很多，而且str 04/17 18:48
4F：→ samm3320: ing 上其他cell在program的时候也会disturb，次数比较多 04/17 18:48
5F：→ qooq1017: 谢谢, 请问没法inhibit是什麽意思? 04/17 20:23
6F：→ samm3320: 不希望被program的bit不被program 04/17 23:04
7F：→ samm3320: 用FN的话BL要灌高压，会很麻烦 04/17 23:05
8F：→ samm3320: CSL共用也没办法给不同电压 04/17 23:09
10F：→ mmonkeyboyy: xd 这解释专业~ 04/19 00:44