看到 2011 年 IEEE 的 paper，以下这一篇： https://pdfs.semanticscholar.org/22a7/dd7d8c5827a36ff7433081bfecde90ff518d.pdf 它的 Curvature correction 架构如下： https://imgur.com/g6rdcUJ.jpg https://imgur.com/wPLErmE.jpg 我的理解是他把 Q1.Q3 的 VBE 相减，让二次项跨在 R5A.R5B 上，产生一个 VTln(T/T0) 项，这个项与 BJT 的 VBE 电压中的二次项，经由安排 BGP 中电阻可以消除掉。 所以 Q3 应该跟 Q1 个数一样对吗 ？ 而且 Q3 的 IC 会跟 Q1 接近 ？ 另外就是 Q3 的偏压，文中说的是： biased at a temperature independent collector current obtained by forcing VBG on a resistor with low temperature coefficient. 照文字来讲是 VBG 串一个电阻，再接到 Q3 ？ 最後一个问题是： 经过 curvature correction 的温度曲线从下凹变成上凹。 我想问这个上凹的温度曲线是怎麽来的 ？ 我按照电路架构去兜电路模拟後，仍然是下凹的形状。 百思不得其解，想说我是不是哪里弄错了 ？ 谢谢大家！ -- 愿你走出半生，归来仍是少年。 --

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