作者u3308642 (我是天王唷)
看板Electronics
标题[问题] mos当作开关的操作区域
时间Thu Jun 28 22:29:29 2018
小弟有个想不透
就是如果mos作为开关导通
s和d的电压应该要很接近
（可能有Rdson的一点压降）
那为什麽会操作在饱和区呢？
还是我有哪里观念错误了？
请各位大大纠正
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 42.77.197.77
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1530196171.A.753.html
1F：推 HiJimmy: GS偏压不足?06/28 23:03
2F：推 a1654812398: 你在哪里看到的？06/29 01:17
3F：推 mos888tw: 怎麽可能是饱和区 开关就是线性欧姆特性06/29 09:08
一开始是问我同学跟同事，他们说在饱和区
但上网找，有人说饱和也有人说线性
上本版爬文，也有人跟我有一样的问题
但却没有讨论出一个答案...
※ 编辑: u3308642 (42.77.197.77), 06/29/2018 09:55:09
4F：推 a1654812398: 我个人认为是在欧姆区啦06/29 12:33
5F：→ smartbit: 判断要有数字，不要用猜的06/29 12:41
6F：推 nissptt: 是用在，再加大Vgs, 而Rds小到不会再变小的区域吧！？06/29 20:32
7F：推 nissptt: Rds不会再"陡降"的区域06/29 20:34
8F：推 ShineOnYou: 要配合vgs的电压曲线看 一样的vds在不一样的vgs下电06/29 22:16
9F：→ ShineOnYou: 晶体操作区域不同 回想一下饱和区的物理意义就知道06/29 22:16
10F：推 ShineOnYou: 不过我认为分线性区跟饱和区是给人看方便啦 重要还是06/29 22:18
11F：→ ShineOnYou: 看你需要的阻值 高阻值或低阻值是你目前需要的06/29 22:18
因为我认为如果当开关导通
应该要让跨压（vds)很小
所以会尽量在vds-id图的左边
triode区里面斜率大
Rds就小
※ 编辑: u3308642 (42.74.26.45), 06/29/2018 23:06:54
※ 编辑: u3308642 (42.74.26.45), 06/29/2018 23:08:03
12F：推 ShineOnYou: 是 没错 但是你要控制vgs大会比让vds小容易一些 06/29 23:08
13F：推 HiJimmy: Vds不是负载经过回路 要Vds小不就只能控制负载? 06/29 23:19
14F：→ HiJimmy: 这样用起来不是很麻烦 06/29 23:19
15F：→ HiJimmy: Vgs-Rds 这个比较好控制吧? 06/29 23:19
16F：→ HiJimmy: Vgs-Rds看这张关系图 不是好控制多了 第三个变因剩温度 06/29 23:21
17F：推 zadarler: 我猜是在.lis里面看到 有可能是initial condition 造成 06/30 14:04
18F：→ zadarler: 的问题 06/30 14:04
19F：推 guaroro: 操作在饱和区的应该是BJT唷 07/02 10:25
20F：→ guaroro: 会不会最近太累，不小心说反了xD 07/02 10:27
21F：推 escorpion: mos开关就是在截止区跟triode区切换，其他都唬烂 07/03 14:23
22F：→ tooperfect: cascode switch , DAC会用到 07/04 12:08
23F：推 guecet: 应该只是跟BJT搞混了 07/05 01:12
24F：推 qekezfeed: BJT COM 07/05 20:01
25F：→ qekezfeed: S 07/05 20:01
26F：推 a86692472: 线性区 07/14 19:54
27F：推 cebelas: 开关不一定操作在triode region, 以NMOS对Cap放电为例子 07/16 20:03
28F：→ cebelas: ， 如果Cap初始电压在VDD,那刚开始放电阶段MOS其实是操作 07/16 20:03
29F：→ cebelas: 在saturation region. 07/16 20:03
30F：推 a86692472: Ce大考量仔细 赞 但原PO应该不是问暂态 哈哈 07/17 01:47