作者ray0514 (BO_RAY)
看板Electronics
标题关於IC Layout寄生电容的问题
时间Tue Aug 7 22:21:35 2018
小的刚学IC layout没多久
想请问在DRC LVS 验证都过情况下
做pex C+CC 抽取後发现电路产生了许多寄生电容
也因此对电路的性能造成很大影响 (尤其是功率的部分)
想问问各位布局高手，在做布局时需要注意甚麽
或是有一些技巧能不要让寄生电容产生?
再请问，两层金属板之间容易产生寄生电容，那在这情况下
是否同一层金属就不适合都画在同方向?
小的新手，请高手指点 !! 谢谢 !
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1F：→ a12349221: 垂直走线 08/08 15:02
垂直走线是指布局的时候 还是？
※ 编辑: ray0514 (117.19.36.55), 08/08/2018 15:16:35
2F：推 kameng: 有查过是哪一个点的问题?PEX可以看看是哪里造成c/cc 08/08 22:41
我在布局的时候习惯将同层金属都画在同一个纵相或是横向而且很密集这样会造成寄生电容吗？还是走线太长影响会比较大
3F：→ kameng: 要说减少寄生电容当然是减少连接线长度 但你也要先知道是 08/08 22:43
大大您好 看的到程式中哪点的寄生电容比较大，但是我看不懂他的数字编号是指哪点
4F：→ kameng: 哪一条线出问题 08/08 22:44
※ 编辑: ray0514 (117.19.36.55), 08/09/2018 10:05:19
※ 编辑: ray0514 (117.19.36.55), 08/09/2018 10:07:27
5F：→ mmonkeyboyy: 数字编号可以拿去反查位置.... 08/09 10:10
6F：→ kameng: 我记得在RVE可以点那点 Layout那里会直接highlight 08/09 10:26
谢谢！我再试试看
7F：→ samm3320: 是在做哪种电路呢？ 08/09 11:23
8F：→ andyvirgo: 原po好像是做去年cic初赛的题目 红绿灯 08/09 12:51
※ 编辑: ray0514 (117.19.36.55), 08/09/2018 12:54:09
9F：推 ap4318: 同一层走同一个方向对绕线来说会比较容易吧 08/09 17:13
10F：→ ap4318: 如果要减小同层metal所造成的cc最有效的应该是加大spacing 08/09 17:13
11F：→ ap4318: 功耗的部分要考虑是不是两条讯号toggle的方向相反，导致dr 08/09 17:15
12F：→ ap4318: iving loading变重 08/09 17:15
13F：→ andyvirgo: 考量面积 以.18制程绕线的方式可以用 例如m2 m4金属走 08/09 19:02
14F：→ andyvirgo: 水平方向 交错使用或许是方法 既可以减低寄生电容效应 08/09 19:02
15F：→ andyvirgo: 面积也能够兼顾 m1 m3也是类似观念 08/09 19:02