作者ejcmos (ejcmos)
看板Electronics
标题[问题] 低电流设计 bandgap
时间Thu Jan 24 10:57:35 2019
请问看了一些做法 low voltage 及操作在 weak inversion 让 bandgap <1uA 功耗，但
若同时要 wide VDD 如似乎不容易。工作点很快就跑了，而且也不稳定。一般若 wide vd
d (如1.65-3.6)又要 low current可行吗？
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※ 编辑: ejcmos (153.92.40.9), 01/24/2019 10:59:25
1F：→ smartbit: Low voltage 应该先考量电路架构 而不一定是要WI 01/24 14:02
2F：→ smartbit: 1.65v 可以。那3.3v 应是耐压考量。 01/24 14:03
3F：→ smartbit: 1.65 to 3.6 should be possible 01/24 14:03
4F：→ smartbit: 工作点你要想想 为何vdd会引响。proper design should n 01/24 14:04
5F：→ smartbit: ot 01/24 14:04