手机PO文，若排版乱掉请见谅！ ========================= 各位高手们好~~ 最近刚完成MOSFET元件(矽基板)，在进行一般DC量测的Id-Vg曲线时，发现「Ioff很大(uA等级)」，学长们先前的元件则可以到pA等级！ 那进行Source/Body或Drain/Body的PN junction量测，看到逆向饱和电流也很大(uA等级，记得矽材料大概是nA等级)，没有崩溃电流成定值，就只是等级过大。 因为我半物没有很好QQ所以想请问各位高手： 1. 会造成逆向饱和电流过大的原因大概有哪些？(撇除升温) 矽基板品质不好？(没记错的话我记得我是使用阻值很小很小的 device wafer><)或是有什麽制程步骤可能会造成这状况？ 2. 我的MOSFET的Ioff过大就是因为逆向饱和电流过大造成的吗？会造成Ioff过大还有别的原因吗？>< 3. 如果我的gate oxide可能有些地方(一点点)不小心吃破接触到Si sub，形成的gate leakage current也会是Ioff过大的其中一个来源吗？ 4. 有人说我的Ioff过大，有可能是我的Source/Drain/Body 的Al pad金属电极当初在开contact hole时蚀刻太深了(当初implant的时候有模拟纵向扩散深度大概是138nm[1E18cm-3处])，请问对方的这个理由是什麽呀？是哪种leakage吗？怎麽会影响Ioff呢？是跟空乏区什麽的有关系吗？(觉得矽基板很厚，body implant和S/D implant离这麽远！而且我觉得我contact hole蚀刻矽基板深度最多最多大概也就只有7、80nm吧QQ) 5. 老师说Ioff这麽大，萃取S.S.(subthreshold swing)参数根本没意义！请问是为什麽？ ======================== 请问各位高手可以帮帮忙解惑一下吗？做出来的元件特性差超难过就算了QQ老师还放生我了，自己拼命找解释的方式但还是有些不懂，不知道怎麽陈述结果比较恰当！所以拜托大家的帮忙！非常感激QQ ----- Sent from JPTT on my iPhone --

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