作者dinex ()
看板Electronics
标题[问题] MOSFET BODY顺向偏压V.S.低电压MOSFET
时间Tue Jun 25 20:53:14 2019
根据Threshold Voltage的公式
当VSB的电压为负的时候
Threshold Voltage就会跟着变小
那想问的是 假如现在是使用PMOS的话
可以透过抽body固定电流(大约1uA)的方式
来降低Vth在低电压环境操作吗?
会这样问是因为现在制程都有提供低电压MOSFET
但如果能用body抽固定电流为何还需要低电压MOSFET?
谢谢大家!!!
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1F：推 chi731022: DTMOS06/25 23:53
2F：→ samm3320: 一颗mos要抽1u的话power会爆表吧06/26 15:05
3F：→ samm3320: 随便一颗chip也几十万到百万个mos06/26 15:06
4F：推 samm3320: 欸我想错了，一起抽就好，不过body有电流比较容易latch06/26 16:15
5F：→ samm3320: up要看device的人愿不愿意给你这样玩06/26 16:15
谢谢大大 那想再请问一下如果改在source跟body间接一个Schottky Diode会比较好吗？
感觉开通电压比较低能降低latch up可能性
但有人说很少看到实务上用（？）
※ 编辑: dinex (112.104.141.77 台湾), 06/26/2019 23:04:03
6F：→ samm3320: 那样加没有拉到地的电流也没用啊，而且diode面积不小吧 06/27 08:20
7F：→ samm3320: 要vt低直接叫TD调就好了不用这麽麻烦 06/27 08:21
8F：→ samm3320: 除非你是少量的类别电路要顶着用 06/27 08:22