作者chishen1214 (chisheng)
看板Electronics
标题[问题] Vth 负电压值越高越不容易导通？
时间Tue Aug 27 23:54:37 2019
类似的额外电子载体的形成归因於电子的捐赠 - 称为“供体效应”(学吸附的H2O分子到Z
nO等氧化物的表面.14-16这是合理的假设由H2O分子诱导的额外电子可以形成具有高电子
浓度的背沟道层，导致更高的负电压，更低的Vth ，从而耗尽沟道层。)
所以一般mos fet Vth是接近零越理想？
Vth如果是负电压，负值如果太高是不是更难导通呢？
感谢大家
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1F：推 jamtu: 如果NMOS的VTH是负的，负越多更容易导通阿 08/30 00:35
2F：推 nick65415: Vt是大小是看应用而定，不是越小越好 09/03 21:23
3F：→ mos888tw: Vt越低 漏电越大但可以达到high speed 看应用取舍 09/06 08:39