作者darksoul8507 (soul)
看板Electronics
标题[问题] 关於vth
时间Fri Nov 19 15:17:18 2021
各位前辈大家好：
本来小弟对mos的临界电压vth会改变的认知是像电子学上面提到的，会因为bodyeffect而
改变，
但是实际去sim hspice时发现vth会因为尺寸或是其他原因而改变，
想要请问一下mos元件的vth会因为什麽改变以及改变的原因为何？
谢谢各位大大
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1F：→ samm3320: Short channel effect 11/19 18:42
2F：→ samm3320: STI effect 11/19 18:43
3F：推 tino676767: Hspice可以查BSIM4 manual 11/19 22:44
4F：推 bt092001: 还有wpe跟lod effect，半导体元件本身就不是理想的，光 11/20 10:36
5F：→ bt092001: 是物理od 的长相不一样或是不同种类mos盖的光罩层不一 11/20 10:36
6F：→ bt092001: 样，一定会也有差，甚至离body距离也有差，觉得不用纠 11/20 10:37
7F：→ bt092001: 结这部分，如果想详知原理可以查楼上先进还有这边提到 11/20 10:37
8F：→ bt092001: 的关键字，实务上只要知道怎用，透过制程厂的manuel 大 11/20 10:37
9F：→ bt092001: 概知道不同元件的范围即可 11/20 10:37
10F：推 a12349221: vth公式很长一串，网路上找找 11/22 07:29
11F：→ darksoul8507: 喔喔本来以为vth大概是定值或是与WL的比例有一定趋 11/22 09:00
12F：→ darksoul8507: 势关系 11/22 09:00
13F：→ darksoul8507: 感谢楼上各位先进的回覆 11/22 09:00
14F：推 joshhuang100: 栅极功函数, 基板参杂/材料 11/23 01:21
15F：推 yoyoyoyoman: 半导体物理去看一下MOS那章就知道了 11/23 10:52
16F：推 hellk: 大学课本的vth 没有参考制程因素的简化公式把 11/24 11:22
17F：→ hellk: 真的把每个参数 套入不同制程的公式 会变成超长一串 11/24 11:23
18F：推 ioeve: lod, wpe, pse,...... ... 11/24 12:34
19F：→ mmonkeyboyy: 就看bsim啊 11/24 13:43