作者ulzxm (神剑)
看板Electronics
标题[问题] 关於MOSFET Vth量测方式
时间Tue Sep 6 22:05:24 2022
小弟有个问题，一般在晶圆厂量测Vth的方式通常如下
(1) 固定Vds (ex: 0.9V)，然後扫Vgs，当量到Id=Itar*(W/L)时 记录当下的Vgs=Vth
其中Itar一般设定100nA
可是最近在看一般功率元件的MOSFET data sheet时，不管是Si or GaN or SiC
很多都是用如下的方式在取Vth
(2) Vgs=Vds, Id=250uA
这里想请教的是(2)里面为什麽要让Vgs=Vds ? 又为何Id要固定在250uA这个数字?
谢谢!!
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1F：推 god145145: 我猜是以前IV机最合适的设定就这样 09/07 19:17
2F：→ godnnn: Itar is not always 100nA. it depends on usage and re 09/08 00:03
3F：→ godnnn: quirement of device. 09/08 00:03