作者pisces3310 (.......................)
看板Grad-ProbAsk
标题Re: [理工] [电子学]-n-JFET 猎杀课本5-19页
时间Fri Sep 18 12:33:43 2009
你好,我知道因为外加负电压增强..
会导致n型J-FET中间的通道变狭窄,使之越不导通
VDS的电压会下降
以上的意义是我了解的@@
而这里的问题是问breakdown voltage of VDS
我不了解的是breakdown voltage 崩溃电压...
为什麽会出现在这里@@?
或者是他代表的就是 VDS 的电压?
※ 引述《tuwy (卢沟桥)》之铭言：
: ※ 引述《pisces3310 (.......................)》之铭言：
: : 题目
: : For an n-JFET VGS turns more negative, the breakdown voltage of VDS
: : becomes:
: : (a)no change (b)greater (c) smaller
: : 答案是C
: : 这题我不懂breakdown voltage这个部份代表的意义...
: : 我知道电压越负空乏区越大,通道会越窄..
: : 但是breakdown voltage会怎样相对的变化呢?
: ==========================================================
: 参考一下....N-JFET的特性图...你会豁然开朗....
: p5-4
: 最後一行~也有说明...
: 希望帮助到你~
--
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 114.38.109.41
※ 编辑: pisces3310 来自: 114.38.101.63 (09/19 00:48)
※ 编辑: pisces3310 来自: 114.38.101.63 (09/19 00:48)
※ 编辑: pisces3310 来自: 114.38.101.63 (09/19 00:49)