最近又遇到一个实验问题,想跟大家请教 　1.我在台湾做雷射制程时没遇过 　 不确定是不是因为在台湾时都切较长的cavity length (1-3 mm) 但在新学校,劈裂後想取下时..基板是分开了但常常邻近的laser bar 　 上头的金属bar却还是彼此没分开,取下会彼此拉扯扯掉另一条laser bar的 一部份金属 这是表示我anneal没做好?还是是有什麽其他问题呢?该如何改善呢? 2. 我的基板材料是GaAs 在台湾我做P ohmic　是镀 Ti/Pt/Ti/Au 700A/500A/200A/3000A anneal 每分钟升100度　425度 2分钟　里头充氮气 　　　　　　　Ｎ　ohmic 是镀　Au,Ge,Ni合金/Au 1500A/3000A anneal 每分钟升100度　385度 2分钟　里头充氮气 在新学校,由於机器设备限制,我参考毕业学长的论文 　　基板材料还是GaAs P ohmic　是镀 Pd/Zn/Pd/Au 100A/200A/200A/3000A Ｎ　ohmic 是镀　Ni/Ge/Au/Ti/Au 250A/325A/650A/200A/3000A anneal 是用充氮气的箱子里头两个Hot plate 250度 30秒 再400度 1分钟 再250度 30秒(P和N共做一次) 这几天学校有找到台RTA的机器 能否烦请有经验的版友提供我 在GaAs基板 P ohmic　Pd/Zn/Pd/Au 100A/200A/200A/3000A Ｎ　ohmic Ni/Ge/Au/Ti/Au 250A/325A/650A/200A/3000A RTA的温度和时间,每分钟升温速度等参数..金属厚度的部分若板友有较佳的条件 也烦请分享与提供,感激不尽,谢谢!! -- 不再想,不再爱,不再懂,不再继续 心就像漏水的房间而自己太多的重叠反而模糊 失去的不必再追回,那个刻意尘封的记忆从此没有遗憾 --

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