1.原文连结：连结过长者请使用短网址。 https://reurl.cc/9vQZaa 2.原文标题：标题须完整写出且须符合内文(否则依板规删除并水桶)。 台积电改变想法？ASML 证实年底交货 High-NA EUV 曝光机 3.原文来源(媒体/作者)：例:苹果日报/王大明(若无署名作者则不须) TechNews!科技新报/Atkinson 4.原文内容：请刊登完整全文(否则依板规删除并水桶)。 半导体曝光机大厂艾司摩尔 (ASML) 已交货英特尔 (Intel) 首台商用 High-NA EUV 曝光 机并安装完毕，英特尔院士 Mark Phillips 确认设备年底启用。相较英特尔，台积电似 乎不急着加入竞赛，台积电已於荷兰技术论坛表明不立即购入这款昂贵半导体制造设备。 台积电表示几年内都不需要高阶 EUV，且价格也非常高昂。分析师预测，台积电可能要 到 2030 年甚至更晚才会购入 EUV。 不过才过几个月，台积电似乎改变想法。外媒报导，ASML 发言人 Monique Mols 说年底 会交货每套价值 3.8 亿美元的 High-NA EUV，ASML 财务长 Roger Dassen 也证实，两大 客户台积电和英特尔年底会收到 High-NA EUV。受此消息影响，ASML 股价开盘後上涨超 过 6%。 英特尔 2022 年宣布签约购买五套 TWINSCAN NXE:3600D，2025 年 Intel 18A 先进制程 测试与训练。先进曝光技术是尖端晶片制造不可或缺的关键，且 High-NA EUV 有望降低 66% 晶片大小。ASML 官方透露，High-NA EUV 比标准 EUV 体积大 30%，需三架以上波 音 747 货机运载。 台积电已宣布，2 奈米制程发展顺利，并 2025 下半年推出 N3X、N2 制程，2026 下半年 量产 N2P 和 A16 先进制程。与已量产 3 奈米不同，将量产的 2 奈米为 Gate-all-around FETs（GAAFET）电晶体，较 3 奈米性能提升 10%~15%，功耗降低 25%~30%。 台积电董事长魏哲家缺席年度技术论坛台北场，改拜访荷兰 ASML 总部，外界解读为台积 电对 High-NA EUV 的态度转变，因接下来先进制程不可或缺性与竞争对手英特尔已购入 设备，故台积电下一步动作对维持市场优势都是关键，值得後续观察。 5.心得/评论：内容须超过繁体中文30字(不含标点符号)。 FINFET的发展已经走到尽头，接下来是GAAFET的全新战场 虽然不晓得台积电当时的想法和现在的想法落差如此巨大的原因 但是三星和英特尔都在虎视眈眈 不能拿未来去赌"他们是否有能力制造最先进的制程"，要直接抢在他们前面 後面甚至还有一位"不惜任何代价"、"集全国之力"，各种名义上都是"敌"手的人 尤其是黄仁勳、苏姿丰等科技界大咖都在陆续加码台湾的现在 如同文章最後所说，台积电下一步动作对维持市场优势都是关键 --

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