作者mcgradychung (阿豪)
看板NEMS
标题Re: [问题] 请问热成长和热沉积有何不同?
时间Tue Apr 3 22:06:35 2012
※ 引述《canonlxus75 (步怀真)》之铭言：
: 请问在半导体的制程中
: 热成长和热沉积 有何不同?
热成长
是由原本基板材料, 经加热与通气...等动作, 从基材成长出新的材料.
热沉积是在制程腔体中, 引入欲沉积之材质所需的气体, 并在高温环境下,
反应成欲沉积的材料, 沉积在基板上.
: 其两种制程的优缺点有哪些?
热成长优点:通常会高品质, 制程成本低(机台成本低, 单次货量大...)
缺点:高温需求, 消耗基材, 成长的东西限制(跟基材相关).
热沉积优点:制程灵巧度高(如沉积异於基板的材料), 可较低温,
缺点:品质相较较差, 通常成本较高(机台, 气体...)
: 小弟在此感谢回答的各位!
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