我以前做过多层SU-8 其实仔细想就知道了 只有第一层是光阻转在Si表面，第二三四层都是光阻转在光阻表面 两种(PR on Si与 PR on PR)之间的力(摩擦力，附着力，表面张力, whatever)不同， 厚度当然不同，而且根据实验经验，"差距很大"。 S1818转个四层少於4 microns是很合理的。 要转厚一点可1. 转慢一点(800rpm), 转的时间短一点(20s-30s)，至多两层 2. 直接使用厚光阻 AZ P4620 转那麽多层其实是下策 老师的话，本身又没做制程的经验，十个有八个嘴炮又自以为 身为研究生，说服老师其实是一门大学问。共勉之。 ※ 引述《jianhung ()》之铭言： : 大家好，又来请教一下 : 最近在测试多层s1818 : 基板是Si : 参数分为2次、3次、4次的涂布 : 我用的是2000 rpm，软烤90度3分钟 : 每一次的做法都相同，仅涂一次HMDS在基板上 : 以先前的经验，1层的厚度约2um : 然而我发现光阻厚度不是一次一次垒加上去 : 经过4次涂布，厚度也不超过4um : 老师对这个结果很不以为然 : 他认为厚度应该会更厚 : 请问是因为我烘烤的程度不够 : 还是光阻与光阻之间的附着力本来就不好呢? : 谢谢! -- 本球队一切依法行政，谢谢指教。 --

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