作者sway5566 (sway)
看板NEMS
标题[问题] 关於ITO的乾式蚀刻法
时间Tue Jul 10 11:00:24 2012
板上的大大好
最近实验需要在矽基板蒸镀上ITO
并且利用黄光定义出图案 在做蚀刻
因为湿蚀刻会有等向性的问题
所以目前是打算找出乾蚀刻的方法
目前矽的蚀刻方法与参数都已经有了(RIE)
只剩下ITO乾蚀刻的方法
想请问大大如果用RIE有办法蚀刻ITO吗?
以下是RIE机台可通入的气体
N2,H2,O2,SF6,CH4,CF4,HBr,Cl2,Ar,BCl3
想说能不能在同个机台上完成蚀刻制程
而且老师说不要用ICP 等真的做不出来再用ICP
谢谢各位大大~
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◆ From: 120.117.77.2
1F：推 s75287:HBr,Cl2,Ar 可以吃 ITO.... 07/10 15:40
2F：推 s75287:确切参数可能要去机台上查才知道... 07/10 15:41
3F：→ sway5566:请问是3种气体一起通入吗? 07/10 17:02
4F：推 pintun:用Shadow mask做pattern就可以省去黄光蚀刻制程 10/11 23:46
5F：→ s110205:Shadow mask只能用在um等级的线宽 太小就不好了 01/10 11:04