作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
标题Re: [问题] 1um线宽曝光问题
时间Fri Sep 7 02:48:52 2012
我做过NR71-1000PY 以及 NR9-3000PY 但只有在Silicon跟 glass wafer上, 没做铌酸锂
所以以下经验仅供参考
1. 清洗後为什麽不用超过110的温度烤乾? 九十度不到水的沸点, 烤再久也只是浪费时间
2. 我以上两种resist的soft bake都是用 150度以上去烤的, 原厂datasheet都是这个值
你选用低温但延长时间的理由是?
3. 若你不是漏打，那我想3才是真正原因:
FuturRex系列的光阻是负光阻。老兄你忘了要PEB(铺後烤)啊!
※ 引述《black7928 (胖)》之铭言：
: 小弟最近正在是1um的曝光
: 可是结果不尽理想
: 小弟的参数如下
: 机台的曝光强度12mW/cm2
: 使用NR71-1500PY的光阻
: 基板为铌酸锂基板
: 1.清洗後烘烤90度10min
: 2.涂布 500rpm 10s 4000rpm 40s
: 3.软烤 90度 10min
: 4.曝光16s
: 5.显影液与水比例3:1 显影时间12s
: 有一部份因为所设计的较为密集
: 试了很多种参数都无法完成 用om看都是黏在一块的
: 想问看看有没有什麽方式能够改善 再麻烦了 谢谢!!
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本球队一切依法行政，谢谢指教。
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 24.17.242.187
※ 编辑: SkyLark2001 来自: 24.17.242.187 (09/07 02:49)
1F：推 black7928:感谢回答 其实我有试过原厂的DATA 但是因为铌酸锂太 09/07 12:09
2F：→ black7928:高温会有晶圆碎裂的问题 我有看了一些其他制成温度大 09/07 12:09
3F：→ black7928:约为90度 拉长时间 所以我才用这方式 小弟也有曝後烤 09/07 12:10
4F：→ black7928:感谢建议!! 09/07 12:10