※ 引述《SkyLark2001 ( )》之铭言： : 标题: Re: [问题] 1um线宽曝光问题 : 时间: Fri Sep 7 02:48:52 2012 : : ※ 引述《black7928 (胖)》之铭言： : : 小弟最近正在是1um的曝光 : : 可是结果不尽理想 : : 小弟的参数如下 : : 机台的曝光强度12mW/cm2 : : 使用NR71-1500PY的光阻 : : 基板为铌酸锂基板 : : 1.清洗後烘烤90度10min : : 2.涂布 500rpm 10s 4000rpm 40s : : 3.软烤 90度 10min : : 4.曝光16s : : 5.显影液与水比例3:1 显影时间12s : : 有一部份因为所设计的较为密集 : : 试了很多种参数都无法完成 用om看都是黏在一块的 : : 想问看看有没有什麽方式能够改善 再麻烦了 谢谢!! : -- :

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) : ◆ From: 24.17.242.187 : 推 black7928:感谢回答 其实我有试过原厂的DATA 但是因为铌酸锂太 09/07 12:09 : → black7928:高温会有晶圆碎裂的问题 我有看了一些其他制成温度大 09/07 12:09 : → black7928:约为90度 拉长时间 所以我才用这方式 小弟也有曝後烤 09/07 12:10 : → black7928:感谢建议!! 09/07 12:10 既然你有温度上的限制, 那这样你要了解每个步骤的意义 软烤是用来烤掉光阻中的溶剂的, 你今天这个条件改变掉了, 曝光以及硬烤的参数 也都会变掉。因为一百五十度一分钟烤出来的有机溶剂百分比跟九十度烤十分钟得到的 有机百分比会有不少差异(我的经验是九十度的话只烤十分钟太短了) 曝光的话因为是负光阻, 所以我建议是可以"稍微"增加曝光时间, 没有太大差异。 我的"稍微"甚至可以多到50%, 比方说20秒我有时甚至会加到变成30秒, 但线宽很短 所以一定不能用soft contact PEB的话因为原本就已经是100C 1分钟了, 所以尽量接近这个值会比较好 因为PEB就是cross linking的关键, 这个参数一跑掉很难救的回来 另外显影时间其实也是重点. 我不清楚你形容的"黏在一起"是什麽样子 但感觉起来像是负光阻的under development 之前说过了你一个条件改变所以所有的其他条件也都变了, 已经稀释过的RD6 显影16秒就我用过NR71的经验还是有点太短, 我建议你可以拉长一下时间看看 -- 本球队一切依法行政，谢谢指教。 --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 24.17.242.187