作者lightnsalt ("▔﹁▔)
看板Patent
标题Re: [闲聊] 有谁知道这件专利案件是哪家事务所办的 …
时间Fri Jul 18 16:34:44 2008
※ 引述《MasonT (MasonT)》之铭言：
: 标题: [闲聊] 有谁知道这件专利案件是哪家事务所办的吗???
: 时间: Thu Jul 17 23:54:44 2008
: 这两天上课时拿到的资料,
: United States Patent 5,567,638
: Lin, et al. October 22, 1996
: 交大雷添福教授实验室的成果, 由国科会出前申请,
: Method for suppressing boron penetration in PMOS
: with nitridized polysilicon gate
: 结果唯一的独立项变成
: 4) removing a layer of nitridized silicon which is generated by said
: nitridizing step 3) on said at least one first polysilicon layer;
: 多了一个 4) removing a layer of nitridized silicon ... 结果这项专利自己把
: 最重要的步骤拿掉了, 所揭露的技术直接成为全人类共同拥有的技术.
: 有人知道这件案子的台湾事务所是哪一间?
: 是美国代理人那边恶作剧? 还是台湾的事务所的问题?
: → MasonT:这是吕学士教授上课的资料,原来是吕学士教授不懂技术... 07/18 10:08
: → MasonT:最好楼上两位比吕学士还要懂啦, 呵呵... 07/18 10:09
: → MasonT:我没呛声,只是根据上面两位所言,推论吕学士不懂技术..:p 07/18 10:30
: → pasica:M兄是否要详读此篇美国专利以及台湾专利的实施例後，再提出 07/18 10:40
: → pasica:而且如果M兄认为removing是错的，是否可基於技术角度讨论? 07/18 10:52
读书读久了，养成了考据的坏习惯。
专利文字方面：
本项专利文字叙述可以从
http://www.freepatentsonline.com/5567638.html
查到。
在summary of the invention 中：
Between step3) and 4), a step of removing a layer of nitridized
silicon which is generated by the nitridizing step 3) on the
at least one first polysilicon layer with
diluted HF
is further included.
本项专利的根据论文：
YH Lin, CS Lai, CL Lee, TF Lei and TS Chao,
"Nitridization of the Stacked Poly-Si Gate to Suppress the Boron
Peneration in pMOS",
IEEE Trans on Electron Devices, Vol 43, No 7, July, 1996
其中II.Experimental:
.....a low pressure (120 mTorr) nitridation in NH3 at
900 “C for 80 min was performed between poly I and poly
I1 for the sample “PHPP’ or between poly I1 and poly I11 for
the sample “PPHP’.
The nitridized silicon films were soaked
in diluted HF (HF/H2O = 1/50) before the following poly-Si
layer deposition.
.......
技术方面：
1. HF(concentrated or diluted) 可蚀刻 LPCVD nitride。
2. 本论文之nitridize polysilicon指的应该是nitrogen-rich的polysilicon
而LPCVD nitride步骤是用以提高其下polysilicon 的nitrogen含量。
且 LPCVD nitride为绝缘体，若存在此层而未移除，上层polysilicon与下层
polysilicon间无导通，电晶体应该无法作用（个人猜测）
3. 另
a） T. Kuroi, S. Kusunoki, M Shirahata, Y Okumura, M Kobayashi,
M Inuishi and N Tsuouchi, "The effects of nitrogen implantation into
P+ poly-silicon gate on gate oxide properties", Symp on VLSI Technology,
1994
b) TS Chao, MC Liaw, CH Chu, CY Chang, CH Chien, CP Hao and TF Lei,
"Mechanism of nitrogen coimplant for supressing boron peneration
in p+-polycrystalline silicon gate of p metal-oxide semiconductor
field effect transistor", Appl Phys Lett, 69(12), September 1996
这两篇论文都是以离子布值方式提高nitrogen原子在boron-doped poly-Si
gate的浓度，进而达到抑制boron diffusion的效果。
与本篇以LPCVD nitride sacrificial layer方式有异曲同工之处。
所以我认为该专利并没有写错。
欢迎讨论。
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 71.134.58.121
1F：推 eedavid:推这边技术的分析 希望就事论事 别再把吕老师牵扯其中 07/18 20:59
2F：→ eedavid:我也承办过几件吕老师下面研究生的发明 基本上 07/18 20:59
3F：→ eedavid:基本上他们都很配合事务所 也很尊重专业 07/18 21:00
4F：推 MasonT:看来专利没有写错, 不过吕学士却在上课时对这事务所做了 07/18 21:57
5F：→ MasonT:不太适当的批评, 显然吕学士也没有把技术内容读清楚. 07/18 21:58
6F：→ MasonT:感谢原 post的分析, 也请 eedavid转告吕学士的学生, 07/18 21:59
7F：→ MasonT:不要在演讲或上课时再拿这个例子作不适当的说明了... 07/18 22:00
8F：→ eedavid:hi, MasonT, 没听过吕老师上课内容，愿意分享一下吗? 07/18 22:02
9F：→ eedavid:至於你原发的讨论文 到底要讨论什麽呢? 07/18 22:05
10F：→ eedavid:讨论该发明是否有被专利范围保护到吗? 还是讨论吕老师 07/18 22:06
11F：→ MasonT:那只是一个三天的 short course...吕教授讲六个小时 07/18 22:06
12F：→ MasonT:他说这篇专利被外国代理人给唬了,多加了removing的步骤, 07/18 22:07
13F：→ MasonT:把好好一个发明给毁了.... :p 我信以为真, 好奇来问一下 07/18 22:08
14F：→ MasonT:这篇是哪一家事务所办的 07/18 22:09
15F：→ eedavid:所以你看了一些人的回应之後，你的看法呢? 07/18 22:10
16F：→ MasonT:不过显然吕学士也被唬了,因为後来他说这是冠亚提供的例子.. 07/18 22:10
17F：→ MasonT:看来是冠亚比较不专业,吕学士误信,而把他编入教材, 07/18 22:12
18F：→ MasonT:以吕学士在学术界的知名度,我看还是请他学生转告他比较适合 07/18 22:12