【情报】 NVRAM记忆体专利诉讼 旺宏向东芝提出337调查 http://bit.ly/2mljwqM 2017年3月7日，台湾记忆体制造大厂旺宏电子（Macronix） 及其美国子公司Macronix America， 向美国国际贸易委员会（USITC）递交违反美国关税法337条诉状书， 控告日本半导体大厂东芝（Toshiba）及其子公司等5家， 所进口至美国境内供应贩售之多款非挥发性记忆体（non-volatile memory，NVRAM） 产品，以快闪记忆体产品（flash memory）为主， 恶意侵害其3项记忆体技术相关美国专利， 并构成美国关税法337条所述之不公平贸易竞争行为。 据此，旺宏电子要求ITC发布排除命令，禁止侵权产品进口， 并就已在美国境内之侵权产品，发布停止暨禁止命令，以阻止其供应贩售。 同日，旺宏电子也於美国加州南区联邦地方法院， 对东芝提起相同恶意侵权指控 （Macronix International Co., Ltd. v. Toshiba Corporation et al, 3:17-cv-00462），并要求法院给予专利法284条加重三倍侵权赔偿、 专利法285条合理律师费等法律救济。 一、系争专利及产品 本案系争专利为美国专利编号6,552,360、6,788,602以及8,035,417 皆属旺宏电子自行研发技术，专利发明主要涉及唯读记忆体（ROM）、 快闪记忆体等产品之半导体电路组件等技术： 360专利发明主张一种适用於CMP工艺之半导体晶片衬底电路布局， 602专利发明主张一种防止虚设单元（dummy cell）受到过度 抹除之半导体存储元件及其操作方法， 417专利发明则主张一种可依据用途、 电源电压和电负载等特性来设置适当驱动强度之输出缓冲电路。 360及602专利皆有对应之台湾及中国大陆专利。 且有授权多家半导体厂商使用之纪录。 本案为360专利第二次使用在关税法337条诉讼， 其余专利则为首次使用。专利资料、原告所主张之侵权产品 及受侵害请求项等资讯，详见下表一整理。 本案系争产品，以东芝生产贩售之快闪记忆体产品为主（属於NVRAM产品分类）， 快闪记忆体主要使用在记忆卡、固态存储硬碟、 可穿戴式电子消费产品如影音或摄像仪器等。 原告虽列举部分记忆体型号及其美国进口商， 然特别说明，鉴於东芝方面不对外公开所有NVRAM产品型录， 故须仰赖後续事实调查程序来确定所有侵权产品。 二、关於旺宏电子 旺宏电子位於新竹科学园区，为NVRAM世界级研发制造大厂， 产品以ROM（唯读记忆体）、 NOR快闪记忆体)与 NAND快闪记忆体为主。 目前ROM记忆体市占率为世界第一，NOR快闪记忆体市占则为全球第二。 因前述Spansion公司为其主要市场竞争对手，故自2000年到2014年期间， 双方曾爆发激烈专利战争，在美国联邦法院及ITC相互提告 （相关资讯可参考「旺宏与Spansion互告侵权案件观察」 介绍Read.aspx?PostID=9849），这些侵权官司， 至2015年年初已陆续双方达成和解而撤销。 旺宏电子自称持有约5000件各国专利，以及约2000件美国专利， 智财实力挤进全球半导体厂商前二十强。专利资料库查询显示， 目前旺宏电子持有3,930件美国专利及申请件， 较2014年约2,800件已有大幅成长。 当公司进行出售或上市前也是遭遇诉讼乱流最多之时， 旺宏趁东芝将出售金鸡母晶片事业部门忙乱之际， 打乱东芝晶片部门出售价格，也示警接手的业者， 更是抢东芝的晶片下游客户。 旺宏趁虚而入抢单，一举多得。 --

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