作者ides13 (juso)
看板Patent
标题[问题] 关於审查基准中单一性的例子。
时间Sun Jul 20 22:59:51 2025
2023年版第四章 发明单一性的2 - 4 - 11页，有一个案例如下。
例 3.
〔申请专利范围〕
1.一种半导体随机存取记忆体装置，其特徵在於将具有由第一金属绝缘层-半导体（metal
–insulator–semiconductor, MIS）元件，采用此第一 MIS 元件之汲极及源极领域之任
一领域作闸、且於前述第一 MIS 元件之上部叠积形成的第二 MIS 元件，……配置成矩阵
状的记忆体阵列，将资讯线（D1）配线於记忆体存格间使记忆体阵列直交於感线（S1）及
字线（W1）而成者。
2.一种 MIS 型半导体装置，其特徵在於由被形成於半导体基板之一主面上的第一 MIS 元
件、与采用此第一 MIS 元件之汲极及源极领域之任一领域作闸，且於前述第一 MIS 元件
之上部叠积形成的第二 MIS 元件而成者。
〔假设〕
就先前技术而言，请求项 1 之「半导体随机存取记忆体装置」具有新颖性及进步性。
〔说明〕
请求项 2 之「MIS 型半导体装置」为请求项 1 之「半导体随机存取记忆体装置」的构成
元件之一，请求项 1 包含请求项 2 之内容，请求项1、2 均具有「第一 MIS 元件之汲极
及源极领域之任一领域作闸，且於前述第一 MIS 元件之上部叠积形成的第二 MIS 元件」
之相同的特别技术特徵，故申请案具有发明单一性。
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上述的例子中，〔假设〕的部分，是否应该是请求项2之「MIS 型半导体装置」具有新颖
性及进步性的情况，申请案才具有发明单一性？毕竟，请求项 1 之「半导体随机存取记
忆体装置」具有新颖性及进步性的特徵，是哪个部分是未知的。
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 1.34.124.93 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Patent/M.1753023595.A.104.html
1F：推 endlesschaos: 你的理解是对的 07/21 00:44
2F：推 aa8318800: 个人想法也是如此，若此案例要符合发明单一性，特别技 07/21 17:00
3F：→ aa8318800: 术特徵必须是请求项2中的技术特徵 07/21 17:00
4F：推 aa8318800: 不过就专利范围而言提到请求项1是包含请求项2的内容， 07/21 17:03
5F：→ aa8318800: 字面上看好像合理，但就范围而言我觉得是请求项2包含 07/21 17:03
6F：→ aa8318800: 请求项1 07/21 17:03
7F：→ aa8318800: 不过这个就跟单一性的判断是2回事了 07/21 17:03