作者jianhung ()
看板Physics
标题[问题] NiP合金与P参杂Si wafer之接触
时间Mon Apr 30 12:58:20 2012
大家好
小弟目前在实验上有个现象一直无法完整解释
所以想向各位前辈请教请教
我在P doped Si wafer上利用无电镀镀上1层200nm的镍磷(Ni-P)合金
接着利用银胶在NiP薄膜黏上导线，放置在烘箱里作2线制的电阻vs温度量测
得到的data显示电阻随着温度上升(400oC)而下降，温度降至室温後电阻也回复到原值
且屡试不爽 ~"~
NiP结构为P散布在Ni奈米晶上，可以说是具有金属性质
无法解释的地方就在於data显示的并不是金属特性(像半导体)
wafer和NiP的电阻率分别是 1~10E6和500 uOhm-cm (两者差异至少4个order)
文献上有研究指出NiP和此种wafer的接触电阻约为0.5~0.8 ohm-cm
我想请教的是
以这样的电阻率差异，有可能我量到的是半导体吗?
谢谢各位!!
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◆ From: 111.255.188.131
※ 编辑: jianhung 来自: 111.255.188.131 (04/30 13:18)
1F：推 nevinyrrals:可以考虑镀在qartz上 04/30 20:26
2F：→ nevinyrrals:抱歉手残打错quartz 04/30 20:30
3F：→ jianhung:回楼上，有镀在玻璃测试过，就没有下降趋势了 05/01 00:17
4F：→ jianhung:但基板必须是Si，所以想就这个现象去解释 thx 05/01 00:19
5F：→ nevinyrrals:其实我觉得比较有可能是Si和你的材料产生反应 05/01 00:44
6F：→ nevinyrrals:可以先测看看单纯Si wafer的升温电阻率变化 05/01 00:46
7F：→ nevinyrrals:如果电阻率都一直远大於你的材料就可排除电流走wafer 05/01 00:48
8F：→ nevinyrrals:矽在升温的过程容易和金属形成金属矽化物 05/01 00:52
9F：→ nevinyrrals:而且你又升到400度 我觉得产生金属矽化物的机率满高的 05/01 00:57
10F：→ jianhung:n大说的没错，这个温度已经到达Ni2Si的形成温度，只是 05/01 14:25
11F：→ jianhung:XRD一直拍不出矽化物。重点是从文献查得Ni2Si,NiSi,NiSi2 05/01 14:27
12F：→ jianhung:的TCR都是正的，这样矽化物也不能解释电阻回复的现象@@ 05/01 14:28
13F：推 nevinyrrals:你的东西不是还有磷吗? 搞不好变成三元材料 05/01 18:20