作者bokey11 (地狱使者)
看板Physics
标题[问题] 电容相关问题
时间Sun Sep 2 21:16:56 2012
我们制作了上下电极板是AlCu金属, 金属板间有 Si3N4 与SiO2 介电质的MIM电容
我们的电容对电压曲线告诉我们 Si3N4 与SiO2会受电压影响,
Si3N4 电容呈现开口向上的抛物线 而SiO2电容呈现开口向下的抛物线,
後来我们将Si3N4 与SiO2混和,制作复合film的电容, 结果电容对电压曲线是
呈现一条水平线,也就是不随电压影响的电容,这是理想的电容特性.
相关文献是说原因是可以互相补足两种材料的不足, 但我想问说,
可以用普物的电容串联来解释吗? 我用excel计算发现两种电容倒数相加後再倒数,
会是水平线的结果。
这问题还蛮难的吧?
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◆ From: 140.116.205.180
1F：推 nevinyrrals:MIM C-V会变和膜中缺陷或漏电流有关 09/03 10:01
2F：→ nevinyrrals:你可能也要看一下电容的J-V曲线才能定论 09/03 10:02
3F：→ nevinyrrals:若两个材料加在一起漏电很低那就确实比较接近理想MIM 09/03 10:06
4F：→ nevinyrrals:若是全部都很不漏那就和膜中缺陷有关 09/03 10:07
5F：→ bokey11:C-V 的确是跟模中缺陷有关，跟漏电流好像有点关，可是... 09/03 15:08
6F：→ bokey11:如果有漏电流，C-V应该随着V愈大,C愈小,但SiN却愈大 09/03 15:10
7F：→ bokey11:我们的实验结果说明SiN的漏电流是大於SiO2 09/03 15:11