作者fantasy0310 (sfdfsaw)
看板Physics
标题[问题] 关於半导体中杂质浓度
时间Sat Oct 27 00:10:21 2012
小弟我想请问
若掺杂 硼原子 2*10^16 cm^-3
砷原子 1.5*10^16 cm^-3
求300K下 电子电洞浓度 移动率 电阻系数
小弟想问
为何 p(电洞浓度)=NA-ND=2*10^16-1.5*10^16=5*10^15
为什麽两个掺杂的浓度相减???
而且两个掺杂浓度的数量级差不多
怎算出来 p>>n ( n=1.86*10^4 cm^-3 )
且电洞的移动率up=up(NA+ND)=3.5*10^16*uP=290 cm^2/v-s ???
小弟我想不出来为何要这样算 且上面的up哪来 T_T
最後知道 p>>n 所以电阻系数=1/qup*p...
恳求半导体高手解答~~~~~~~~~~~~~~
感激不尽~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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◆ From: 114.25.117.234
1F：推 nevinyrrals:老实说你的问题有点没头没尾的 10/27 00:33
2F：→ nevinyrrals:电阻率 载子迁移率 载子浓度三者的关系就像你写的公式 10/27 00:34
3F：→ fantasy0310:不好意思 忘了打"在矽样本上"..... 10/27 00:34
4F：→ nevinyrrals:那样 所以一定要知道其中两者才能推第三者 10/27 00:35
5F：→ nevinyrrals:你那个电洞迁移律的推导怪怪的 10/27 00:36
6F：→ fantasy0310:不好意思 小弟想问迁移率怎乘出来会等於290cm^2/v-s? 10/27 00:37
7F：→ nevinyrrals:基本上题目给掺杂浓度就是要让你算载子浓度 10/27 00:37
8F：→ fantasy0310:那个迁移率解答是那写 小弟看不懂T_T 10/27 00:38
9F：→ fantasy0310:整个最大疑惑在那QQ 10/27 00:38
10F：→ nevinyrrals:假设NA>ND 根据n*p=ni^2和n+NA=p+ND两个式子去解 10/27 00:40
11F：→ nevinyrrals:就可解出p=NA-ND (在常温杂质完全游离且NA>ND>>ni下) 10/27 00:42
12F：→ fantasy0310:了解 感谢你 不过那迁移率有点想不通... 10/27 00:43
13F：→ nevinyrrals:电洞迁移律那个式子你可能要再检查有没有写错 10/27 00:46
14F：→ nevinyrrals:式子应该是错的 10/27 00:47
15F：→ fantasy0310:迁移率式子是看解答上写的 没有头绪怎麽这样列.... 10/27 00:48
16F：→ fantasy0310:还是那迁移率是要去查图表???? 10/27 00:53
17F：→ nevinyrrals:一般来说只能从电阻率去推 或是effective mass 10/27 18:56
18F：→ nevinyrrals:和平均碰撞时间去推 10/27 18:57
19F：→ nevinyrrals:通常都是用霍尔效应去量 10/27 19:01
20F：→ nevinyrrals:而像Si或GaAs这种东西常温的载子迁移率都被量过了 10/27 19:01
21F：→ nevinyrrals:可以查表得知 10/27 19:03
22F：→ nevinyrrals:我还是觉得你那个题目很怪就是了 三缺二没得推导啊 10/27 19:05
23F：→ nevinyrrals:你要不要去问一下原出题者或是教授 10/27 19:07