作者DirkWerner (德国佬)
看板Physics
标题[题目] 半导体载子浓度题目
时间Thu Nov 8 00:14:24 2012
[领域] 半导体 (题目相关领域)
[来源] 课本(neaman) (课本习题、考古题、参考书...)
[题目]
The value of p in silicon is at T=300K is 10^15 cm^-3
Determine (a) Ec-Ef (b) n
[瓶颈] (写写自己的想法，方便大家为你解答)
(a)
p=Nv exp(-(Ef-Ev)/kT)
10^15=1.04x10^19 exp(-(Ev-Ef)/0.0259)
Ef-Ev=0.23956eV
for Silicon at 300K Eg=Ec-Ev=1.12eV 代入上式
Ec-Ef=0.88eV
(b)
n=Nc exp(-(Ec-Ef)/kT)
=2.8x10^19 exp(-0.88/0.0259)
=4.9x10^4 cm^-3
==================================================
答案对过解答都没有错，但目前有个想法是
这个问题为什麽不符合Mass Action Law
for Si at 300K,ni=1.5x10^10
但是我发现ni^2不等於p x n
加上课本上有别的例题跟这题很类似，却又符合Mass Action Law
麻烦大大解惑@@
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