作者wohtp (会喵喵叫的大叔)
看板Physics
标题Re: [问题] 半导体掺杂与电子电洞问题
时间Mon Aug 18 23:47:46 2014
能带是平面波:
任何一本固态物理一开始就会讲,Bloch state等等,请自己补完。
位能井对平面波的影响:
任何一本量子力学都会讲,请先看微扰再看散射。
总之薛丁格方程式没有解析解。对这个问题最合用的近似做法是直接用原来平
面波能阶,然後位能井造成能阶之间的transition。
不过这部份根本不重要,你只要能把导带上的电子数出来就好了。杂质造成的
碰撞散射通通都可以用下一个近似带过...
导电性:
Drude approximation,一样是固物一开始就有的东西。
考虑自由电子在电场里受力加速,但是每隔一段时间就撞到杂质/声子/另一
颗电子……,碰撞後平均速度归零。从这里算出平均速度,再用上面的载子密
度算出平均电流。
同一颗电子两次碰撞之间的平均时间就要看有多少东西可以撞,截面积大小又
多大等等。全部的量子力学跟微扰什麽就是为了计算截面积而已。
不过实务上,因为我们本来也不知道Hamiltonian里面的参数是什麽,所以只
好反过来,先量电阻和载子密度,反推回时间,再推到截面积。
不喜欢Drude approximation,嫌这太不量子了?Quantum Boltzmann equation
欢迎你,大概研究所的统力可能会教到。不过老实说,拿这个来算电阻真的跟
Drude approx. 差不多...
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