作者eightnight99 (ms.donut hole)
看板Physics
标题[问题] 同质pn接面电性曲线拟合
时间Fri Apr 17 10:25:41 2020
小弟最近在读的文献是有关同质接面
利用electrostatic doping 的方式形成p-n junction
而目前看到的文献中为求得该元件的理想因子
其拟合公式都采用schockly diode的方程式
如下：
Ids=
(nVt/Rs)W{(I0Rs/nVt)exp[(Vds+I0Rs)/nVt]}-I0
其中
Ids=量测到的电流
n=理想因子
Vt=thermal voltage
Rs=回路串联电阻
W=Lambert W function
I0=逆向偏压饱和电流
Vds=施加电压
想请问
1.schockly diode是利用电场传输载子，而pn junction是利用扩散的方式，两者传输机制不同，为什麽在萃取理想因子时，是利用schockly diode的方程式去做拟合
，而不是用双二极体并联的模型（一个代表扩散电流；另一个是生成-复合电流）作拟合？
2.有关此类方程式的拟合程式，想请问大家有推荐的吗？又或都是自己写程式的？
谢谢各位大神们
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