作者lano1111 (Lano)
看板Physics
标题[问题] 半导体元件GIDL 的解法讨论
时间Fri Dec 20 06:24:17 2024
https://imgur.com/a/WgFKoML
【题目】(题目的文字叙述，如有图片亦可提供图片)
对於GIDL的解法网路上都是打LDD。降低GATE下方的基板浓度来解决
【瓶颈】
但是目前有一些疑问
1.对於LDD改善的原因
GIDL发生主要是S/D扩散到Gate下方形成OVL
在Drain跟gate有大压差下，Drain跟gate中间的substrate产生BTBT形成电子电洞对
LDD会降低substrate浓度；这样会让能带图中的斜率变得趋缓，增加BTBT形成的难度
这样想是对的吗?
2.LDD浓度对GIDL的改善应该会有极限
浓度打太淡会改善不大；但是打太浓应该也会有极限而且会造成side effect
目前想能想到的side effect可能有
Vt shift/roll off
shrot channel effect?
google上找不太到相关的讨论想与各位请益
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※ 编辑: lano1111 (125.228.76.205 台湾), 12/20/2024 06:26:20