作者blust (blust)
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标题Re: [闲聊] 见习後才发现工程师没那麽好当!
时间Tue Aug 29 21:19:02 2006
我不知道有没有书专门说LED的光罩设计,
但其实和大多数IC设计相比,
LED的光罩设计相形之下要单纯许多,
它不需要复杂的接线,
只要做出diode即可.
光罩的设计目的是在epi wafer(ie.已经有磊晶层的晶圆)上做出每道制程的图案
以InGaN(蓝光或绿光)LED为例,
光罩首先要考虑chip size(通常是老板考虑),
而图形再依照不同制程来决定
而制程的安排首先取决於chip的形式,
像Ni/Au制程,ITO制程和flip chip制程是不太相同的,
必须先考虑好每一步制程要怎麽做,以及制程顺序要怎麽安排,
才能够决定每一道光罩的图形.
在设计时这是最重要的一步,
每一道光罩都要留对准误差,
也要考虑制程的线宽误差,
(像一样是镀金属,用lift-off或photo etching做出来的线宽就是不同)
还要考虑不同清洗或蚀刻方式的影响;
确认制程可以做出电性ok的chip後,
考虑图形对亮度和可靠度会造成的影响,
像P-ohmic contact的制作对current spreading和正面亮度有绝对的影响,
N-ohmic contact的形状对current spreading也很重要,
Pad会有遮光的考量,
passivation则尽量保护表面和提高出光量;
光罩设计分高下的地方通常在亮度及可靠度,
大多数工程师设计的光罩一定做得出会发光,可量产,Vf,Ir都符合spec的LED chip,
但是同样的epi wafer,
因为chip型式(像传统Ni/Au就没有ITO或FC那麽亮)
和图案设计(强烈影响current spreading)
会造成亮度和可靠度的巨大差异;
当封装产客户有不同需求时,
光罩的图形当然要跟着改;
常见的原因是因为要做更薄的SMD或是对光场有要求,
或者是打线,die bond有问题;
基本上每个客户会有各自的考量,
目前能提供客制化chip的应该不多,
设计时大多考虑满足多数客户需求即可....
当然,除了光罩图案外,
chip的厚度,表面处理,封装方式也都是要互相配合的,
目前chip业界大多仍以亮度为设计指标,
封装厂再来考虑光场,
但我觉得未来两者的交流应该会更多,
一些特殊规格还是要互相配合才容易做得到....
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◆ From: 220.136.159.80
1F：推 clark871004:喔喔,真是太感谢你啦,这篇应该可以进精华了 08/29 21:29