原文标题： 三星的逆袭！大摩：HBM4技术领先提前爆发 明年获利将冲150％ 原文连结： https://www.ctee.com.tw/news/20251124701136-430704 发布时间： 2025.11.24 14:45 记者署名： 方明 原文内容： 摩根士丹利（大摩）发布最新报告指出，三星电子在高频宽记忆体（HBM）领域的技术追 赶已全面完成，不仅HBM3e已向所有AI计算客户出货，下一代HBM4亦进入多重资质认证流 程，首批结果预计将於12月初出炉，将成为三星股价的重要催化剂。 大摩表示，三星凭藉1c DDR5前端技术、4nm逻辑基础晶粒与低功耗优势，在HBM4产品表现 与高速>11Gbps规格上具技术领先地位，加上涵盖DRAM、代工与封装的端到端生产能力， 有望快速扩大市占。 在供应面，三星DRAM有效产能达50万片、月总产能约65万片，远超竞争对手，使其再度掌 握记忆体市场主导权。DRAM订单履约率目前仅约70％，能见度已延伸至2026年上半年。 报告也指出，尽管三星在供给端握有庞大优势，但公司管理层刻意采取「更理性」策略， 不一味追逐市场热潮，而是选择与关键客户合作，按照真实需求调整供给；旗下P4厂房超 过10万片/月的设计产能，更为DRAM与代工两大业务预留充足扩张空间。 此外，三星代工业务亦出现回温，2nm制程接获多笔订单，利用率改善带动获利回升，虽 然产量仍需逐季提升，且寻求特斯拉以外的大客户仍是当前首要任务，但大摩认为三星代 工的整体前景「明显好转」。 大摩预估，在供给吃紧的环境下，三星具备更强的定价能力，2026年每股盈余（EPS）将 达14,464韩元，较目前市场共识的9,800韩元高出将近50％，若以2025年为基期，获利更 有望暴增超过150％。 心得/评论： 三星电子只用两季的时间就重返记忆体龙头宝座 现在大摩报告指出HBM4技术领先 说明三星电子的研发方向正确 DRAM方面产能远超竞争对手并且供不应求订单履约率约70% AI方面根据这篇 https://bit.ly/3LXS03g 节录: 咸（Ham）大师表示：「在端侧（On-Device）AI中，最大的瓶颈是记忆体频宽和储存装置 的存取速度。」他说：「我们正在开发能智慧地调节记忆体与运算之间平衡的最佳化技术 。」 例如，并非把所有资料都放进记忆体中，而是设计成只在需要的时候才载入，藉此提升效 率。 咸大师补充说：「三星研究院已具备能让参数规模达 300 亿（30B）、模型大小超过 16GB 的生成式模型，在不到 3GB 记忆体下运行的技术水准。」 咸明柱大师表示：「在端侧（On-Device）AI时代，核心竞争力在於如何用相同的资源提 取出更高的效率。能在小小的晶片里实现最大的智能，就是我们应该追求的技术方向。」 目前大多数大型语言模型都以「Transformer」架构为基础。Transformer 会一次性检视 整个句子并计算词与词之间的关系，虽然在理解语境方面十分优秀，但其缺点是：句子越 长，计算量会呈指数级成长。 咸明柱大师指出：「为了克服 Transformer 架构的限制，我们正在检讨各种技术途径， 同时以 ‘在实际装置中能有多高的效率’ 为核心进行评估。」他强调：「我们的目标不 只是改善既有方法，而是引入全新的方法论，打造『下一阶段的架构』。」 --

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