原文标题： 报价全面飙速 大摩估DDR4明年Q1价格翻倍 记忆体指标股首选「这档」 原文连结： https://www.ctee.com.tw/news/20251208700157-439901 发布时间： 2025.12.08 03:00 记者署名： 工商时报 简威瑟 原文内容： 摩根士丹利证券指出，传统记忆体的供不应求状况，驱动产业的超级循环（super-cycle ），预期DDR4、MLC NAND、NOR Flash至2026年的定价能力还会更强，尤其DDR4合约价 2026年第一季将大涨超过1倍，强调现在还不是获利了结时刻。 大摩依据记忆体几大重要品项所做调查分析显示，DDR4受到来自企业端客户庞大需求带动 ，预期2026年第一季合约价上涨幅度将轻松超越100％；同期间，NOR Flash因供应端调整 ，涨价幅度也会达20％以上；MLC NAND供应则面临剧烈干扰，2026年首季亦可能出现显着 涨价。 回顾第二季下旬，摩根士丹利就预料到传统记忆体会因严重供不应求，带动产业进入超级 循环，大摩同时建立DDR4、SLC、MLC、NOR Flash的供需模型。 随後，传统记忆体合约价在第三季底开始上涨，对照过往记忆体上行循环持续三至四季， 显示现在并不是获利了结时刻，研判市场对相关记忆体指标股2026年获利预期将出现长足 调升。 观察企业端需求强劲，大摩发现，2026年第一季初步议价结果对供应商更为有利，可能推 动第一季合约价上涨逾100％。 同时，DDR4 16GB为缺货最严重品项，研判通路库存已接近於零，现货价甚至一度高达100 美元。与此同时，MLC NAND的减产已成为重大议题，摩根士丹利更预期，NOR Flash产能 将出现部分缩减。主要由於晶圆价值偏低，加上後段制程报价走高，部分NOR Flash供应 商可能会将NOR Flash产能转移至其他产品，因此，大摩估计2026年NOR Flash供给缺口将 由目前的低至中个位数百分点，扩大至高个位数百分点，导致NOR Flash报价2026年第一 季可能上涨逾20％。 综合上述涨价前景，摩根士丹利持续高度看好传统记忆体後市，并指出，市场虽出现对 2026年价格上涨空间杂音，以及涨价对下游客户影响之疑虑，但别忽略记忆体本质为循环 性产业，仅一季就结束的上行周期极为罕见。 在相关供应商中，大摩首选仍为华邦电（2344），将受惠NOR与DRAM价格进一步上涨，且 位元出货量亦可望提升，其股东权益报酬率（ROE）有望在2027年进一步扩张至30％。 同时，大摩亦看好南亚科（2408），其11月营收月增29％、相当亮眼，并已开始反映涨价 效益。 心得/评论： 大摩预期DDR4、MLC NAND、NOR Flash至2026年的定价能力还会更强，尤其DDR4合约价 2026年第一季将大涨超过1倍，大摩不建议此时获利了结 尤其DDR4 16GB目前是最严重缺货品项，研判通路库存接近为零 加上MLC NAND减产以及预期NOR Flash产能也将缩减，也将带动2026年NOR Flash供给缺口 将扩大至高个位数百分比，也相对可能报价上涨超过20%的情形 目前市场虽然对2026价格上涨空间出现杂音，以及对下游影响的疑虑 但记忆体本质为循环性产业，上升周期不太可能只有一季 大摩在此篇文章中也首选华邦电(2344)为最受惠的公司，也很看好南亚科(2408) --

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