作者huangin (大黄)
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标题[新闻] 美光科技:开始为辉达量产HBM4记忆体 铜
时间Wed Mar 18 09:16:23 2026
原文标题:美光科技:开始为辉达量产HBM4记忆体 铜锣厂年底前启动第2座晶圆厂
原文连结:
https://news.cnyes.com/news/id/6386904
发布时间:2026-03-17 09:05
记者署名:陈韦廷
原文内容:
美光科技 (MU-US)周一 (16 日) 在辉达 GTC 大会上宣布,旗下多款记忆体产品已同步进
入大规模量产阶段,这些产品均围绕辉达 Vera Rubin 平台设计。
美光表示,HBM4 产线已在今年首季度开始量产并出货,首批产品为 36GB 的 12 层堆叠
版本,专为 Vera Rubin 平台打造。该产品的引脚速率超过 11Gb/s,可提供超过
2.8TB/s 的记忆体频宽,相比上一代 HBM3E 提升约 2.3 倍,同时功耗效率提升超过 20%
。
此外,美光也指出,目前已向客户提供 16 层堆叠 48GB HBM4 的早期样品。相较於 12
层版本,该型号单颗容量提升 33%,能进一步提升单个 HBM 位置可用记忆体容量。
同日,美光亦称打算在最近从力积电手中收购的铜锣晶圆厂址之一建设第二座大型晶圆制
造设施。
美光在最新声明中表示,这座新晶圆制造设施将説明该公司大幅扩大最先进的资料中心级
别 DRAM 系列产品的供应规模,其中主要包括 HBM,以支持持续激增的 AI 算力需求。新
建设计画预计将於美光 2026 财年年底之前启动。
心得/评论:
顶规 Core Switch 直接进驻实体机房 (HBM4 最新制程落地)
美光不是随便扩建个旧仓库,它把用来支援辉达 (Nvidia) 最新 AI 算力、频宽突
破 2.8 TB/s 的 HBM4 记忆体产线,架到原本力积电的铜锣厂区,且年底前会开工。
力积电把厂房交接给美光,获得庞大现金流优化财务体质,还顺利切入了美光 HBM
的後段制程供应链,同时还获得了先进 DRAM 的技术授权。
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