原文标题： 请勿删减或自创标题，违者4-1处分，此行请删除 三星 COMPUTEX 大秀新品！首公开 HBM5 关键 HPB 架构、HBM4E 晶圆 原文连结： 网址超过一行，请用缩网址，连结不能点击者板规 1-2-2 处分。 https://technews.tw/2026/06/02/samsung-computex-2026/ 发布时间： 请勿张贴超过3天新闻 2026 年 06 月 02 日 20:41 记者署名： 林 妤柔 原文内容： 三星半导体今（2 日）表示，於 COMPUTEX 上展示横跨记忆体、晶圆代工、逻辑晶片与先 进封装的全球唯一IDM（整合元件制造商）模式的「全方位解决方案（Total Solution） 」竞争力，以及迎接新一代AI系统的发展策略。 此次展览中，三星首度公开了次世代HBM解决方案—HBM4E 晶圆与晶片。HBM4E由三星最先 进的1c DRAM制程的核心晶粒（Core Die），与三星晶圆代工 4 奈米制程的基础晶粒（ Base Die）结合而成的次世代HBM解决方案。该产品能稳定支援每引脚（Pin）最高14Gbps 的传输速度，未来可扩充至16Gbps（最高4TB/s频宽）的效能。此外，HBM4E的容量较前一 代提升30%以上，并可依照客户与系统需求，提供从32GB至64GB的多种配置。 除 HBM4E 之外，也同步公开了下一代 HBM 架构模型（Mock-up）。三星表示，最受瞩目 的是，首度亮相、瞄准 HBM5 时代的核心技术—HPB（Heat Path Block）架构。HPB是三 星为提升下一代HBM散热效能所开发的热管理架构（Thermal Architecture）技术。 三星指出，随着AI加速器效能、记忆体频宽与功率密度快速提升，散热管理已成为高效能 AI系统发展的重要关键。尤其在HBM5架构中，需要以更快的速度处理更多的数据量，记忆 体内部产生的热量也随之大增。其中，负责HBM与外部GPU之间超高速资料传输的D2D PHY （Die-to-Die Physical Layer），是Base Die中主要的发热来源之一。随着资料传输速 度越快，D2D PHY所产生的热量也同步增加。因此，在HBM5等高效能产品中，如何有效控 温与散热，将是关键竞争力。 HPB技术正是为了解决此挑战而开发，HPB的结构设计是在D2D PHY区域额外配置一条独立 的热传导路径（Thermal Path），让热可以更有效率地向外传导与散发，藉此可降低热阻 （Thermal Resistance），提升运作稳定性，即使在高频宽、高密度整合的环境下，也能 展现更稳健的系统效能表现。 三星目前已在HBM4E的基础上完成HPB技术验证，并计画从HBM5开始正式导入此技术。这是 三星首次正式公开下一代HBM架构及热管理技术发展方向，预期将成为强化HBM技术领导地 位的重要里程碑。 三星表示，这次展览也展示因应 NVIDIA Vera Rubin 平台发展方向的AI记忆体与储存产 品组合。在 GPU 方面，展示了 HBM4；在系统记忆体领域，则有 SOCAMM2；在储存解决方 案，则介绍 PM1763、PM1753 与 PM9D3a 等针对AI工作负载特性最佳化的产品。特别是， PM1763 预计将搭载於 NVIDIA VR200 GPU 伺服器的本机 SSD（Local SSD）使用。 心得/评论： https://i.urusai.cc/XYW4d.jpg 三星公开了HBM5架构模型 将导入HPB技术 今天三星电子股票收盘价360500 +3.30% 市值约1.56兆美元超越META成为全球第十大企业 --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 36.229.10.227 (台湾) ※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Stock/M.1780406673.A.730.html