全球最大设备厂应用材料宣布推出Applied Centura Tetra Z光罩蚀刻系统，为业界所需 的新一代光微影术光罩蚀刻技术，继续精进多重曝影尺寸缩放至10奈米以下。 应用材料表示，Centura Tetra Z系统所提供的光罩蚀刻技术，首创能够进行10奈米以下 四重曝影的解决方案，独步业界；世界级的光罩蚀刻效能与缺陷控制技术，符合逻辑与记 忆体装置的先进图案制程技术要求。 台积电虽然有意在10奈米及7奈米的部份光罩层导入极紫外光（EUV）新技术，但是10奈米 及7奈米的主要微影技术仍会以浸润式（immersion）多重曝影技术为主。所以，应用材料 此次推出新一代光罩蚀刻系统，可支援10奈米以下，正好符合台积电及英特尔等国际大厂 需求。 应用材料表示，Centura Tetra Z系统透过新机台而再次扩充功能，提供所需的线宽（CD ）参数「埃（angstrom）」等级光罩精密度，满足未来逻辑与记忆体装置严苛的图案制程 规格。应用材料光罩蚀刻产品处总经理瑞欧．耶拉曼奇里（Rao Yalamanchili）表示，蚀 刻技术是制造光罩的关键，使用193奈米波长来制作10奈米或7奈米的图案，需要各种最佳 化技术，包括浸润与多重曝影，高度仰赖光罩的运用。 Centura Tetra Z系统是最先进的光罩蚀刻技术，运用精密材料工程及电浆反应动力学的 精进科技，扩充了193奈米（193nm）微影技术的应用，能为新一代光学光罩蚀刻提供所需 的精确度，制作先进节点设计的图案。 应用材料针对进阶的铬、矽化钼（MoSI）、硬质光阻层和石英（熔矽石）蚀刻应用，开发 了Tetra Z工具，以制造先进的二元式与相位移光罩（phase-shift masks），优越的系统 展现了持续的技术创新与前所未见的线宽效能，将浸润式微影术延伸应用於四重曝影与先 进的解析度强化技术，用以确保图形转移保真度的重要功能，包括了针对所有特徵尺寸进 行均匀的线性精密蚀刻，以及近乎零缺陷的图案密度。 http://www.chinatimes.com/newspapers/20150511000077-260204 -- http://en.wikipedia.org/wiki/Selected_area_diffraction --

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