作者hellowworld (hello~world)
看板Tech_Job
标题[请益] 关於D ram 厂目前的device
时间Tue May 12 23:41:22 2015
众所皆知，d ram 厂的微缩速度比ㄧ搬晶圆
代工厂快，那想请问现在在d ram 厂的RD
devices team ，以後d ram 也会用finfet
device, 或是继续跟着台积device 10/7
nm 的走向吗？
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1F：→ hotsaucecing: 不会 05/13 00:05
2F：→ hellowworld: 请问楼上，那还是用planer mosfat吗？ 那这样如何微 05/13 00:15
3F：→ hellowworld: 缩下去呢？ 05/13 00:15
4F：推 FinFET: 会问这问题表示你不熟元件 05/13 00:46
5F：推 FayX: FinFET本人都出来了!! 05/13 00:52
6F：推 sugoi5566: Capacitance 和 transistor 不同 05/13 01:13
7F：→ Godmyfriend: Field Effect Transistor 抱歉有错字就想纠正的习惯 05/13 01:19
8F：推 outzumin: 基本元件不同FinFET vs floating gate FET m06xu3u,31j4 05/13 06:16
9F：→ outzumin: 原理也不同 FinFET要降漏电 floating gate要调Vth 05/13 06:16
10F：→ outzumin: DRAM用FinFET要怎麽存资料? 05/13 06:19
11F：→ outzumin: 作业自己写吧 05/13 06:19
12F：→ hellowworld: 想问的是说，以往当做d ram开关的 MOSFET 会被新的fi 05/13 11:04
13F：→ hellowworld: nfet之类来取代了吗？ 05/13 11:04
14F：→ jannine: 为什麽要空那麽大一格.. 05/13 12:27
15F：→ octy: 应该是拉长音的概念~ 05/13 16:24
16F：推 maja5: 现在cell transistor 就已经是类似finFET的概念了 05/13 20:19
17F：推 maja5: 6F2早就脱离planer transistor的设计了 05/13 20:22
18F：→ sambible: 我待过imi 跟ntc 6f2 有脱离吗？ 05/14 00:40
19F：推 sambible: MU 是利用斜排放式挤6f2 05/14 00:42
20F：推 sambible: Dram 跟flash 算HF logic 算min size 05/14 00:44
21F：嘘 sambible: 但是目前台湾 T & U 微影制程屌打台湾dram, 众所皆知 05/14 00:49