韩记忆体厂竞用陆企技术 可能引发美国关注发起制裁 2025/02/26 00:22:02 经济日报 记者林宸谊／台北报导 https://money.udn.com/money/story/12926/8571632 南韩媒体披露，继三星电子之後，SK海力士的下一代NAND快闪记忆体晶片的核心专利，需 要依赖大陆业者授权，因此预计SK海力士也将与长江存储（YMTC）签署专利协议，这也是 韩系记忆体厂商再度使用陆厂专利技术。 据韩国媒体《ZDNet Korea》报导称，三星电子近期已与长江存储签署了开发堆叠400多层 NAND Flash所需的「混合键合」（Hybrid Bonding）技术的专利授权合约，以便从其第10 代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。 除了三星，《ZDNet Korea》还强调，南韩另一大记忆体晶片巨头SK海力士的下一代NAND 快闪记忆体晶片的核心专利，也需要依赖大陆，预计SK海力士也将与长江存储签署专利协 议。 报导称，三星之所以选择向长江存储获取「混合键合」专利授权，主要由於目前长江存储 在该技术方面处於全球领先地位。并且三星经过评估认为，从下一代V10 NAND开始，其已 经无法再避免长江存储专利的影响。 对此，中华经济研究院第二研究所暨日本中心副主任江泰槿表示，三星电子、SK海力士要 与大陆记忆体晶片龙头长江存储签署专利协议，主要可能涉及AI晶片或边缘计算。 江泰槿指出，南韩媒体此次披露，这很有可能会引起美国注意并间接导致川普对记忆体领 域发起制裁，并加强对长江存储技术限制；而台厂由於跟SK海力士买记忆体晶片，後续可 能要注意是否会触及美国禁令，导致供应链洗牌。 陆媒《芯智讯》指出，目前混合键合技术专利主要被Xperi、长江存储和台积电（2330） 所掌控。但是，Xperi这家公司主要是做技术许可，，而台积电也主要是做逻辑晶片制造 ，显然长江存储在3D NAND研发制造过程当中所积累的混合键合技术专利对於其他3D NAND 制造商来说，想要规避可能将面临更大的挑战。 江泰槿指出，目前依已揭露资讯显示，混合键结技术是由长江存储向美国专利授权公司Xp eri，签署协议後获得原始专利。并於2020年推出「Xtacking」架构，於此基础建立许多 衍生技术专利，目前已成为突破3D NAND技术壁垒的核心。该技术透过分层设计实现了更 高的整合密度与良率，而三星此次选择直接授权，而非自主研发或规避专利，凸显了对技 术可行性的务实考量。 陆系科技产业好像研发能量越来越强 已经开始搞授权了 唯独先进制程还是台湾占优势 但未来不知道陆系半导体制造也会崛起称霸产业的时候 台湾需要加强国际人才的吸引力 保持研发领先了 --

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