自由时报 陈丽珠／核稿编辑 韩国半导体人才及技术 快被中国挖空 https://i.imgur.com/nopdjUY.jpeg 韩媒爆料，中企不仅挖角韩国半导体人才，还窃取HBM等先进技术。示意图。（路透） 〔财经频道／综合报导〕南韩记忆体产业正遭遇来自中国的严峻挑战，今年第一季长江存储 占全球快闪记忆体市占来到8.1%，吓坏南韩。韩媒披露，中企技术之所以进步神速仰赖挖角 和偷技术，不仅挖角三星和SK海力士的人才，还窃取HBM（高频宽记忆体）等先进技术，甚 至绕过美国制裁，不惜开出比行情价高出1.7至2倍的价格，从韩国狂扫设备。 韩国媒体《Hankyung》报导，中国记忆体公司曾窃取三星和SK海力士的技术，如今仅剩一年 时间就可能威胁韩企的地位，韩国正面临「红色记忆体入侵」挑战。 根据统计，中国长江存储今年第一季占全球快闪记忆体市场比重来到8.1%，这是中国半导体 公司市占率首次得到官方确认。业内人士预测，照此速度发展，长江存储将在一两年内与SK 海力士和美光等厂商并驾齐驱。 同时，在DRAM市场部分，中国长鑫存储的市占率已达4%，这意味着长期以来该产业三足鼎立 的局面可能被打破。根据市场研究公司 TrendForce 的数据，2025 年第一季，长江存储在 全球 NAND 市场排名第六，市占率 8.1%，第一名至第五名依序为：三星电子（31.9%）、SK 海力士（16.6%）、美光（15.4%）、铠侠（14.6%）和 Sanisk（12.9%）。 在DRAM领域，长鑫存储以4.1%的市占率位居第四，前三名依序为SK海力士（36%）、三星电 子（33.7%）和美光（24.3%）。 业内人士5日透露，韩半导体产业在收到TrendForce第一季市占率报告後，大吃一惊。专家 警告，中国「红色记忆体」的入侵才刚开始，这些公司背靠强劲的中国国内需求，如今拥有 顶尖技术。 报导称，长江存储已开发出约300层的NAND产品，与三星相当。长鑫存储目前正在开发第四 代高频宽记忆体（HBM3）。市场预计今年下半年，长江存储将跻身全球NAND市场前三，长鑫 存储也将与三星、SK海力士和美光公司，成为全球四大DRAM厂商之一。首尔国立大学教授黄 哲成（音译）直指，10年内，全球DRAM领导地位可能从韩国转移到中国。 https://i.imgur.com/N4IfBTx.jpeg 外媒指出，中国企业加价狂扫半导体设备。示意图。（路透） 报导还踢爆，美国制裁促使中国记忆体企业以70%的加价购买韩国设备，目前韩国半导体设 备商正忙於应对来自长鑫存储和长江存储等中国公司的爆量订单，这些公司正在囤积制造LP DDR5和HBM等先进产品所必需的设备。 为了快速获得设备，这些中国公司经常提出紧急订单，开价比原价高出1.7到2倍。一家韩国 半导体设备公司的代表说，中国记忆体公司正在加大对开发HBM3等下一代半导体所需的最先 进设备的订单。 报导提及，长鑫存储和长江存储对韩国设备的兴趣并非空穴来风。全球超过90%的半导体设 备市场由应用材料公司和科林研发等美商，或东京威力科创等日商掌控。韩国产品受美国监 管较少，因此成为中企透过第三国采购的替代方案。 报导指出，中国企业技术快速进步归功於挖角人才和获得技术，中企试图窃取HBM等先进技 术，或从三星和SK海力士挖角人才的案例屡见不鲜，类似的状况在南韩以外的国家也时常发 生。荷兰国防部长Kajsa Ollongren最近告诉路透，中国正在增强其半导体技术间谍活动， 业界怀疑中国试图窃取ASML的EUV技术。 https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/5066997 --

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