作者bmw325 (BMW325)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] body bias layout
时间Thu Jan 15 22:41:06 2009
※ 引述《trexgene (hens)》之铭言：
: 请问在.35制程中
: body bias的电路部分，应该如何加上guard ring呢
: 谢谢
→ aaming:看一下你body bias的电压大小决定guardring 220.136.32.66 01/10 21:06
→ aaming:的type 避免导通导致漏电流 220.136.32.66 01/10 21:07
不是这样子的 @@
是要看你的substrate是那种type 0.35制程我印象中有支援 N-well
换句话说 NMOS --> P-substrate --> guard ring 用 OD 加上 P+ implant
PMOS --> N-substrate --> guard ring 用 OD 加上 N+ implant
guard ring 千万不要乱包 万一设计时有动用到Body偏压 到时候偏压给上去
电流到处乱窜 晶片怎麽死都不知道 XD
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我承认我对韩国货有偏见..你咬我啊..XD
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 118.169.99.37
1F：→ aaming:谢谢BMW大, 我表达错了...Orz 60.250.64.37 01/20 12:50
2F：→ aaming:应该是本身的guard ring之外需再额外的围 60.250.64.37 01/20 12:53
3F：→ aaming:1~2圈, 避免寄生BJT导通 60.250.64.37 01/20 12:53