作者kj66 (冬天到来)
看板comm_and_RF
标题[问题] MOS的闪烁杂讯
时间Thu Jan 15 22:59:54 2009
请问我在paper看到说电路用PMOS会比NMOS
用来降低1/f会比较好,可是没说为什麽,
我有去查Razavi的类比积体电路,杂讯这一章节有提到
不过好像只说一些,好像跟buried channel有关?
谢谢
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电学观念太浅了
不好意思= =
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.134.87.59
※ 编辑: kj66 来自: 220.134.87.59 (01/15 23:01)
1F：推 transntu:因为PMOS主要靠电洞传导，而闪烁闸讯主要 123.240.231.22 01/16 07:37
2F：→ transntu:靠表面的那一层多出的量子态来不捉电子 123.240.231.22 01/16 07:38
3F：→ transntu:或电洞，因为电洞等校质量比较大，被捕捉 123.240.231.22 01/16 07:38
4F：→ transntu:或释放的的机率比较小，所以杂讯较低。 123.240.231.22 01/16 07:39
5F：→ kj66:感谢T大回答,谢谢122.118.156.235 01/16 22:57