想请问一个关於MOS电容的问题 电容的impedance会有相角 当相角接近-90度时候 表示说 impedance 大部分是因为reactance造成 而越是接近0度 表示说大部分是因为resistance造成的 根据我的经验 前者通常会发生在良好的电容上 然而後者往往发生在 有比较多缺陷的电容身上 我知道reactance是虚数的部分 而 resistance是实数的部分 但是不管是哪一个的上升都会导致impedace的增加 我想请问 为何reactance dominated的情况都是发生在良好的MOS电容身上呢? 有办法从物理意义上去想像吗?? 谢谢! --

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