作者henryrax (打电话给乌龟)
看板comm_and_RF
标题[心得] 半导体期末考考题~供大家探讨
时间Fri Dec 19 03:41:34 2014
期末是口试半导体，边写边解释
第一题PN junction
请问当施加偏压PN能带变如何?这简单,fermi level会被扯开
P区N区的fermi level被扯开後，会延续到分别N区P区吗?...我猜不会
那depletion region任一点的ni怎表示? 我用算式表达...但教授不满意
第二题 minority carrier concentration,并衔接上题
画出minority carrier concentration分布
为什麽这样分布? recombintation，用diffution length表达
第三题 BJT
解释base width modulation?
对output conductance有啥影响?
对IB有啥影响,对IC有啥影响?
如果Base width 除2, beta会怎样?
第四题 当silicon被uniaxial strain，surface constant energy变怎样?
画画图结束
第五题 标准MOSFET
VTH? Flat band voltage? Body Effect? Body effect in Vth?
第六题 MOSFET的 Qs(surface charge density) vs Vs(surface potential)
画出那个图
increase substrate doint这图会变怎样? flat band voltage会变怎样?
double gate的substrate如果是10nm，这图又会变怎样?
以上考题2014/12/18 某学校半导体物理期末考口试题目~
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1F：推 bxxl: 贴在electronics版比较适合,这里是通讯版118.160.230.181 12/19 20:11
※ 编辑: henryrax (104.38.87.9), 12/21/2014 12:09:51